买卖IC网 >> 产品目录 >> BLS6G3135-120 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLS6G3135-120

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 3.1 GHz to 3.5 GHz
增益 11 dB
输出功率 120 W
汲极/源极击穿电压 60 V
漏极连续电流 7.2 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-502A
封装 Tray
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属性
链接
代理商 BLS6G3135-120
BLS6G3135-120,112
BLS6G3135-20
BLS6G3135-20,112
BLS6G3135S-120
BLS6G3135S-120,112
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